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王曦 中科院亚洲太阳sungame
所在学院: 物质科学与技术学院
职务: --
研究方向: 半导体材料与器件(中科院上海微系统与信息技术研究所研究员)
备注: --
王曦

研究内容

1、绝缘体上硅SOI材料: 利用离子注入、外延、键合等关键技术研制SOI材料,作为先进集成电路、硅基光子学、MEMS传感器等的衬底。同时开发高迁移率sSOI、SGOI、GOI等材料,有效提高MOS器件沟道载流子迁移率,满足纳米级集成电路技术发展需要;
2、先进SOI器件与电路: 研究SOI器件的尺寸缩小效应、自热效应和浮体效应等,设计、开发新型SOI器件与模型,应用于先进SOI集成电路设计服务平台。研究基于SOI加固材料设计与制造的大规模数字、模拟及混合信号芯片,满足抗总剂量和抗单粒子等严苛应用环境下的高可靠性元器件需求。
3、硅基光电集成技术: 探索硅基片上光操控机理,研发高速硅基光调制器、全硅光二级管等核心硅基器件。研究硅基异质集成GaN等化合物半导体材料,开发硅基光电融合技术,应用于半导体照明和光学探测器等领域。
4、“超越摩尔”集成电路工艺与产品设计: 瞄准手机等智能终端以及汽车电子应用,开发“超越摩尔”(More than Morre, MtM)集成电路新工艺,创新MtM产品设计。

科研成果

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